STAIB INSTRUMENTS是世界领先的高性能表面分析仪器供应商之一，STAIB生产的反射式高能电子衍射仪（RHEED）和差分式反射式高能电子衍射仪（TorrRHEED）被广泛应用于各种薄膜生长原位监控，也被世界各大真空镀膜设备制造商采用。
反射式高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延(MBE)技术发展有关。它可用于原位观察外延薄膜生长情况，为改进生长条件提供依据。反射高能衍射具有较高的表面灵敏度(10~40埃),但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。也可用来作物相鉴定、测定晶体取向和原子位置。此外，电子衍射可以用来测定晶体的空间群。
RHEED特点：
电子枪能量范围：10 keV ~60 keV
工作气压范围：从UHV到1×10-5 mbar
高性能电子枪：高亮度、小斑点、低分散、极低放气率
荧光屏：镀铝保护涂层
远程控制：实现电子束聚焦、偏转及电子闸门功能
电子束偏转角度：±15°
选配：一级差分，工作气压可达10-3 Torr
型号：
反射式高能电子衍射仪(RHEED)简介
反射式高能电子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction,简称RHEED)是高能电子衍射的一种工作模式。它将能量为10～50keV的单电子束掠入射 (1°~3°)到晶体表面，其反射束带有晶体表面信息，并呈现于荧光屏。
工作原理
RHEED反射式高能电子衍射将能量为10～50keV的单能电子掠射 (1°～3°)到晶体表面，其反射束带有晶体表面信息，并呈现于荧光屏。当入射电子束与晶面簇的夹角θ、晶面间距和电子束波长λ三者之间满足布喇格公式时，则沿此晶面簇对入射束的反射方向有衍射束产生，从而得到表面结构的全部信息。
技术特点
1. RHEED入射束与衍射强度大，不易受外界干扰，荧光屏不需加高压。样品正面有较大的空间，有利于分子束外延生长(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)的原位检测。
2. RHEED采用高能电子，因此可以形成亮度高且细的聚焦束，所得的衍射谱线有较高的亮度和锐度，进而实现精确地监测，得到全部结构信息，且精确度较高。
3. RHEED可以进行二维分析，也可以进行三维分析，可通过改变掠入射角从而改变电子束穿透深度，以获得深度信息。
4. RHEED通过转动样品可以直接测得沿倒易杆强度变化。
5. RHEED不仅可以实现表面结构分析，也可用于观察表面形貌和缺陷。
6. RHEED除了用于单晶，还可以用于多晶，孪晶，无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
主要应用
反射式高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延(MBE)技术发展有关。它可用于原位观察外延薄膜生长情况，为改进生长条件提供依据。反射高能衍射具有较高的表面灵敏度(10~40埃),但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。也可用来作物相鉴定、测定晶体取向和原子位置。此外，电子衍射可以用来测定晶体的空间群。
