




一流产品,以专业铸造辉煌
Menlo Micro致力于为功率和RF(射频)应用制造微机械开关,并验证了其低于50fs的产业领先的RonCoff性能。Menlo Micro未来预计将出样RonCoff性能低于10fs的开关器件,这样的性能已经达到了传统开关的10倍。
除了重要的品质因数RonCoff,Menlo Micro还验证了其高于+90dBm的线性性能,这比先进的传统开关的性能还要高15~20dB。该公司目前开发的开关在12GHz的插入损耗低于0.3dB,带宽覆盖直流DC至18GHz,并能扩展至更高的频率范围,包括毫米波RF MEMS开关。
产品咨询:185 02193 480,
利用从GE(通用电气)排他许可获得的专利材料、设计和晶圆级工艺技术,Menlo Micro的DMS技术具有值得信赖的可靠性,而且它不仅能处理kW级的功率,还能向下缩减尺寸和成本,使其能与绝缘体上硅(SOI)相比具有成本竞争优势。
其开关采用专利的合金材料溅镀在玻璃晶圆上制得,该玻璃晶圆利用了供应商兼投资商康宁公司(Corning Incorporated)的玻璃通孔技术(through glass vias, TGV)。Menlo和Corning正合作为应用TGV技术的高性能半导体玻璃晶圆打造供应链,扩大制造规模。Menlo同时也积极地和多家技术合作伙伴一起致力于将DMS技术许可至消费类移动手持设备市场。
Ideal Switch™平台所开发的MEMS开关将颠覆对传统机电式继电器和固态开关的妥协,解决了行业领导者40年来一直试图解决的重大挑战。自硅晶体管发明以来,已有近70多年的历史,而机电继电器发明已有185年以上的历史。这些传统技术的主要缺点会限制许多终端产品和系统的性能。通过结合MEMS技术的优势,Ideal Switch™可为用户在关键系统级指标(包括性能、尺寸、重量、功耗和成本)方面降低99%甚至更多。
这些技术革新将带来以下重大改进:
• 无线通信网络:提升关键国防、政府、雷达和商业通信网络中的无线电性能;
• 射频/微波切换:其应用包括5G蜂窝网络、无线电、卫星和Wi-Fi;
• 5G通信系统:减少损耗,提高效率,支持新频段和重要测量设备的部署;
• 消费类手机:包括更少的掉线呼叫,更高的数据速率(高速/更高容量),更好的信号覆盖范围以及更长的电池使用时间。
在过去的一年中,Menlo Micro已完成导入专业代工厂,并向5G移动网络、航空航天、国防以及测试与测量等核心目标市场超30多家行业领先客户,提供了MEMS开关样品。本轮融资后将使该公司能够充分利用Ideal Switch™平台形成可处理千瓦功率的MEMS开关产品,在未来几年内加快向新市场的扩展。MEMS开关还将在物联网(IoT)、智慧家庭、电动汽车、医疗仪器、量子计算、自动驾驶等领域创造更多机会。
| Function | Frequency (Min-Max) | Insertion Loss | IP3 | RON | COFF | Isolation | Power (CW) | Switching Speed | Lifetime | Controller | Input Voltage | Packaging | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MM5130 | SP4T | DC–26 GHz | 1.3 dB | 95 dBm | 1.2 Ω | 15 fF | 18 dB | 25 W | <10 µs | >3B cycles | Direct Drive | 89 V | 2.5 x 2.5 mm WL-CSP |
| MM5120 | SP4T | DC–18 GHz | 0.4 dB | 95 dBm | 1.2 Ω | TBD | 25 dB | 25 W | <10 µs | >3B cycles | SPI/GPIO | 5 V & 3.3 V | 5.2 x 4.2 mm LGA |
| MM5140 | SP4T | DC-6 GHz | 0.1 dB | 90 dBm | 1.2 Ω | TBD | 26 dB | 25 W | <10 µs | >3B cycles | SPI/GPIO | 5 V & 3.3 V | 5.2 x 4.2 mm LGA |
| MM5600 | DPDT | DC–20 GHz/40 Gbps | 2.5 dB | 95 dBm | 1.2 Ω | 10 fF | 23 dB | 2 W | <10 µs | >3B cycles | Serial-to-Parallel | 89 V | 8 x 8 mm LGA |
| MM3100 | 6-ch. SPST | DC–3 GHz | 0.3 dB | 85 dBm | 1.0 Ω | 90 fF | 25 dB | 25 W | <10 µs | >3B cycles | SPI | 79 V | 6 x 6 mm BGA |
嗡 哇苏
达咧司哇哈
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