Ionautics HiPSTER 25 BiPolar 双极高功率脉冲磁控溅射电源

Ionautics全新的 HiPSTER 25 配备了由碳化硅制成的最先进晶体管，解锁了先进的运行模式，以实现卓越的性能和效率。

HiPSTER BiPolar HiPIMS 设备代表了下一代 HiPIMS 技术。这些设备由等离子体工艺开发和薄膜沉积领域的领导者精心设计，可提供稳健且可重复的 HiPIMS 工艺。凭借超快开关技术和增强的 HiPIMS 脉冲控制，HiPSTER BiPolar 系列是开发和执行最先进 HiPIMS 应用的理想解决方案。

产品联系：185 0219 3480，sales@gamti.com

特性

• 双极性操作：无需衬底偏压即可实现离子加速。

• 使用多种工艺参数实现稳定且稳健的工艺控制。

• 支持外部触发：可连接多个电源。

• 新型开关技术：允许 HiPIMS 脉冲频率高达 150 kHz。

• 经过多种磁控靶和工艺验证：包括反应性 HiPIMS。

• 可添加 Ionautics 的反应性工艺控制：以提高稳定性和沉积速率。

输出规格

单极模式（负脉冲）

可选双极模式（正脉冲）

可选脉冲直流模式

输入规格

环境规格

应用领域

• 硬质涂层：更光滑、更致密的元素涂层以及反应沉积的化合物涂层，从而提高硬度、减少腐蚀和降低摩擦。

• 光学涂层：通过更光滑的界面和更致密的结构提升光学性能。

• 扩散阻挡层：通过更高的涂层密度获得更好的性能。

• 导电涂层：改善导电性，从而能够减少涂层厚度和热负荷。对于绝缘体，也可获得更高的绝缘性能。

• 三维涂层：在复杂形状衬底上实现均匀的薄膜覆盖。

Ionautics 成立于 2010 年，长期深耕于电离物理气相沉积领域， HiPSTER 25提供高达 25kW 功率，不仅重新定义了行业高效运行模式，还极大提升了性能与能量效率。其采用的碳化硅（SiC）晶体管成为一大亮点。SiC 作为新型半导体材料，具备耐高温、高频率特性以及卓越导电性能。相较于传统硅基材料，它能够承受更高工作温度，拥有更快开关速度，这大幅提升了能量效率与工艺稳定性，有效减少了能量损失和热管理难题，提供灵活且稳定的镀膜过程，有力确保了镀膜质量的一致性 。

HiPSTER 25 双极模式

HiPSTER 25搭载的双极HiPIMS技术，无需基底偏压即可实现离子加速，简化工艺步骤，提升镀膜质量与均匀性。通过精确调控离子能量和方向，它能在各类基材上形成光滑致密的涂层，显著增强产品耐磨性、耐腐蚀性和光学性能。此外，该设备集成丰富的工艺参数调整选项，用户可按需精细调节气体流量、放电电压和脉冲频率等，无论是硬质涂层、光学镀膜还是电气涂层，都能实现良好效果。其外部触发多个电源的功能，更为复杂的多层镀膜和复合结构镀膜创造了可能。

新型开关技术的应用，让 HiPSTER 25的HiPIMS脉冲频率达到150kHz，高频脉冲不仅提升镀膜效率，还能促进薄膜均匀致密沉积，尤其在处理复杂三维结构时优势显著。增强的脉冲控制功能，可精准调节脉冲形状、宽度和能量分布，成为研发新型材料和优化现有工艺的得力工具。

HiPSTER 25 优势

为进一步保障镀膜质量，HiPSTER 25集成了Ionautics的反应过程控制系统。该系统实时监测和调节镀膜化学反应，精确控制镀膜成分与结构，减少缺陷和杂质，提升镀膜稳定性和沉积率。经过广泛测试和优化，HiPSTER 25在反应式 HiPIMS 及其他各类磁控管工艺中均表现优异。

从具体性能参数来看，HiPSTER 25输出平均功率小于 25KW，支持电压、电流、功率等多种调节模式，脉冲电流电弧控制反应时间小于2μs；输入电压灵活适配100-240VAC，支持RS 232、RS 485等多种远程通信方式。无论是单极模式下的高电压大电流输出，还是可选的双极模式和脉冲模式直流，都能满足多样化的工艺需求。

广泛应用范围

HiPSTER 25的应用场景广泛。在扩散屏障和电气涂层制备中，它能增加涂层密度，提升扩散屏障阻隔性能，防止材料相互渗透；通过优化涂层厚度和热负荷，提高导电材料导电性与绝缘体隔离效果，为电子封装和电力传输提供高效方案。在航空航天、医疗器械和汽车制造等对三维涂层要求严苛的行业，HiPSTER 25凭借出色的镀膜均匀性，可在复杂形状基材上实现薄膜均匀覆盖，助力高端制造升级。

瑞典Ionautics以推动行业进步为使命，未来，我们将继续深耕HiPIMS技术领域，以HiPSTER 25为新起点，持续优化产品性能，拓展应用边界。同时，我们希望通过HiPSTER 25搭建与全球客户紧密合作的桥梁，共同探索离子镀膜技术。