RHEED(反射高能电子衍射仪)是观察晶体生长最重要的实时监测工具之一。它可以通过非常小的掠射角将能量为10~30KeV的单能电子掠射到晶体表面,通过衍射斑点获得薄膜厚度,组分以及晶体生长机制等重要信息。 因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。
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R-DEC公司生产的反射高能电子衍射仪,以便于操作者使用的人性化设计,稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。
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30KeV 电子枪
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30KeV 电子枪电源
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反射高能电子衍射仪分析系统(kSA400-Leader in Analytical RHEED and LEED)
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MBE(分子束外延)是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内,源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解,电子束加热蒸发等方法,产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后,经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备,可对生长过程中衬底温度,生长速度,膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行精确监控。由于MBE 的生长环境洁净、温度低、具有精确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确,是良好的光电薄膜,半导体薄膜生长工具。
主要特点:
1. 电子枪部分
RHEED电子枪是专门为进行衍射研究所设计的电子光学系统,其能量范围从10到30keV。通过结合静电和磁部件,保证了电子枪具有高亮度、小斑点、低分散和极低放气率的特征。电子枪可以完全安装在腔体外面,可以原位保养,可以烘烤。如果配备了差分抽气系统,还可以在高压环境下使用。
2. 控制电源部分
设计紧凑的提供30KeV能量的电子枪电源控制部分,由zei先进的电子元件制造。电子枪的设置参数,如能量、灯丝电流、束流强度等都可以数字形式在显示器上显示,而且可以通过一个简洁的控制面板远程控制调节束流强度、聚焦位置等。系统具有自我诊断能力,可以快速全面地对RHEED系统进行检查。
3.电子束光阑
通过电子束光阑可以控制束流的开关,这样可以保证样品上极低的电子负荷。光阑开关信号也可同时被外部信号触发,这样就使得RHEED可以在有干扰磁场下使用,并可以用来研究旋转样品。
4. 电子束摇摆
为了做RHEED分析,电子束必须以掠角方式入射样品。 独特的电子束摇摆特征,允许精确调节和变化电子束入射角度,而不用移动样品。这个特征在对固定位置的样品进行分析测试时是非常有用的
5.差分泵(抽气系统)
通常的电子枪是为在如10-4 torr 这样较高压力条件下工作设计的,但是这样必然导致灯丝寿命的缩短。带有差分抽气系统选项的RHEED系统, 保证了可以在高压和有反应气体存在的环境下进行日常的操作。对灯丝部分的高效抽气,使得RHEED系统同其他系统相比有无与伦比的灵活性。
6. 计算机控制
RHEED系统可以完全由计算机来控制。电子枪控制部分包括一个界面模块和一个软件包,这保证了RHEED的使用灵活性,和可重复性。 用户自己设定的参数可以被保存并调入,通过电子束光阑可以控制电子束的开关,使用电子束摇摆特征可以调节电子束入射角度。
7. 荧光屏
提供各种尺寸的荧光屏,它们有非常高的空间分辨率和极好的对比度。荧光屏上的镀铝保护涂层确保荧光屏有非常好的电接触特性,并可以屏蔽掉从真空腔来的一些游离光线,从而提高RHEED图像的对比度。
8.数据采集和分析系统
RHEED Vision 是一套可以同现存的各种RHEED系统配套使用的功能非常强大的数据采集软件, 它可以同时进行图像处理和实时数据分析。并且有很多可选的数据缩减程序。另外还提供其它的硬件控制模块,如锁相外延生长,快门控制,激光脉冲触发器等。
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